紫外試驗(yàn)老化箱/紫外老化箱對材料分布的影響
 
紫外試驗(yàn)老化箱/紫外老化箱空間電荷總量及其消散快慢與絕緣材料本身微觀結(jié)構(gòu)有關(guān)，對絕緣材料性能存在影響。根據(jù)對空間電荷密度進(jìn)行積分，求得樣品內(nèi)電荷總量如3.9所示。從3.9中可以看出，去壓后試品內(nèi)總電荷先是迅速衰減，之后呈現(xiàn)緩慢遞減趨勢，但三個(gè)不同電老化時(shí)間樣品遞減速度是不同的，老化時(shí)間越長的樣品電荷消散越慢。
 
根據(jù)中所建立的多能級陷阱理論，可將通過固定熱脫陷常數(shù)ki 來對總電荷消散曲線進(jìn)行擬合，擬合優(yōu)度在99%以上，擬合結(jié)果如3.10所示。盡管三種樣品的電荷在去壓之初都呈現(xiàn)極快的遞減趨勢，但在之后很長一段時(shí)間內(nèi)老化時(shí)間越長的樣品電荷衰減越慢，最終都趨于零，即內(nèi)部空間電荷完全消除，但需要較長時(shí)間。
 
3.7所展現(xiàn)出來的電荷衰減速度差異與樣品內(nèi)部的陷阱分布關(guān)系密切。通過擬合獲得熱脫陷常數(shù)ki相對應(yīng)陷阱能級下的陷阱電荷密度分布。通過上式，可獲得單位體積內(nèi)材料的陷阱電荷密度，如表3.3和3.11所示。
 
紫外試驗(yàn)老化箱/紫外老化箱很顯然，電老化對材料內(nèi)部陷阱的分布影響很大。老化使陷阱深度靠近但小于0.8eV的陷阱電荷密度減少，同時(shí)大大增加了0.85eV附近的陷阱電荷密度。陷阱深度為0.95eV以后的電荷密度分布峰值隨著老化時(shí)間的增長逐步后移，深陷阱中的陷阱電荷密度逐漸增加。